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AO4407 SO8 mosfet P

INTEGRADO MOSFET AO4407 4407 Ch-P -30V -12A SO-8

ALPHA & OMEGA
11155
Disponible
2,65 €
Impuestos incluidos * 1 a 5 días depende de la forma de envio elegida
Transistor MOSFET canal P en formato SO-8. -30V -12A 0.013 Ω. Tecnología MOSFET advanced TRENCH. Para montaje en superficie.

 
Este MOSFET de canal P AO4407 usa “advanced trench MOSFET technology” con un paquete de baja resistencia para proporcionar un RDS(ON) extremadamente bajo. Este integrado está compuesto por un transistor MOSFET canal P en un encapsulado SO-8. Se ha optimizado para aplicaciones de administración de energía. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones PW, protección de batería, gestión de energía.

- MOSFET canal P
- Tecnología Trench
- Resistencia ultra baja
- Capacidad de manejo de alta potencia y corriente
- Montaje en superficie

INTEGRADO MOSFET AO4407Hoja de datos AO4407

TIPO TRANSISTOR
MOSFET CANAL P
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
-30V
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
±25V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
0.013 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
-12A
CORRIENTE DRENAJE PULSO
-60A
DISIPACIÓN DE POTENCIA
3.1W
TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
ENCAPSULADO
SO-8
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
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