INTEGRADO MOSFET AO4407 4407 Ch-P -30V -12A SO-8

Este MOSFET de canal P AO4407 usa “advanced trench MOSFET technology” con un paquete de baja resistencia para proporcionar un RDS(ON) extremadamente bajo. Este integrado está compuesto por un transistor MOSFET canal P en un encapsulado SO-8. Se ha optimizado para aplicaciones de administración de energía. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones PW, protección de batería, gestión de energía.

- MOSFET canal P
- Tecnología Trench
- Resistencia ultra baja
- Capacidad de manejo de alta potencia y corriente
- Montaje en superficie

Hoja de datos AO4407