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INTEGRADO MOSFET FDS9435A Ch-P -30V -5.3A SO-8
FAIRCHILD
10543
Disponible
3,15 €
Impuestos incluidos
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Transistor MOSFET canal P en formato SO-8. -30V -5.3A 0.050 Ω. Tecnología POWER TRENCH. Para montaje en superficie.
Este MOSFET de canal P FDS9435A es una versión con puerta resistente del proceso avanzado PowerTrench de Fairchild Semiconductor. Se ha optimizado para aplicaciones de administración de energía que requieren una amplia gama de valores nominales de voltaje variables de (4.5V - 25V). Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones PW, protección de batería, gestión de energía.
- MOSFET canal P
- Tecnología PowerTrench
- Resistencia ultra baja
- Capacidad de manejo de alta potencia y corriente
- Montaje en superficie
Hoja de datos FDS9435A- TIPO TRANSISTOR
- MOSFET CANAL P
- TEMPERATURA OPERATIVA
- -55°C ~ 150°C
- ENCAPSULADO
- SO-8
- TIPO DE MONTAJE
- SUPERFICIAL SMD/SMT
- TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
- -30V
- TENSIÓN PUERTA - FUENTE
- ±25V
- RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
- 0.050 Ohms
- CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
- -5.3A
- CORRIENTE DRENAJE PULSO
- -50A
- DISIPACIÓN DE POTENCIA
- 2.5W
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