INTEGRADO MOSFET DUAL FDS9945 Ch-N 60V 3.5A SO-8
FAIRCHILDDos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato SO-8. 60V 3.5A 0.100 Ω. Tecnología POWER TRENCH. Para montaje en superficie.
Este integrado está compuesto por dos transistores MOSFET canal N en un solo encapsulado SO-8 que se producen utilizando el proceso avanzado PowerTrench de Fairchild Semiconductor. Estos MOSFET de nivel lógico de canal N se han diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CC / CC que utilizan controladores PWM de conmutación síncronos o convencionales. El MOSFET presenta una conmutación más rápida y una carga de puerta más baja que otros MOSFET con especificaciones RDS (encendido) comparables. El resultado es un MOSFET que es fácil y más seguro de manejar (incluso a frecuencias muy altas) y diseños de fuente de alimentación CC / CC con una mayor eficiencia general.
- MOSFET DUAL canal N
- Tecnología PowerTrench
- Optimizado para su uso en la conmutación de convertidores CC / CC con controladores PWM
- Conmutación muy rápida
- Carga de puerta baja
- Montaje en superficie
- TIPO TRANSISTOR
- MOSFET DUAL CANAL N
- TEMPERATURA OPERATIVA
- -55°C ~ 175°C
- ENCAPSULADO
- SO-8
- TIPO DE MONTAJE
- SUPERFICIAL SMD/SMT
- TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
- 60V
- TENSIÓN PUERTA - FUENTE
- ±20V
- RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
- 0.100 Ohms
- CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
- 3.5A
- CORRIENTE DRENAJE PULSO
- 10A
- DISIPACIÓN DE POTENCIA
- 2W