FDS9945 SO8 dual mosfet N

INTEGRADO MOSFET DUAL FDS9945 Ch-N 60V 3.5A SO-8

FAIRCHILD
10542
Disponible
2,25 €
Impuestos incluidos * 1 a 5 días depende de la forma de envio elegida
Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato SO-8. 60V 3.5A 0.100 Ω. Tecnología POWER TRENCH. Para montaje en superficie.

Este integrado está compuesto por dos transistores MOSFET canal N en un solo encapsulado SO-8 que se producen utilizando el proceso avanzado PowerTrench de Fairchild Semiconductor. Estos MOSFET de nivel lógico de canal N se han diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CC / CC que utilizan controladores PWM de conmutación síncronos o convencionales. El MOSFET presenta una conmutación más rápida y una carga de puerta más baja que otros MOSFET con especificaciones RDS (encendido) comparables. El resultado es un MOSFET que es fácil y más seguro de manejar (incluso a frecuencias muy altas) y diseños de fuente de alimentación CC / CC con una mayor eficiencia general.

- MOSFET DUAL canal N
- Tecnología PowerTrench
- Optimizado para su uso en la conmutación de convertidores CC / CC con controladores PWM
- Conmutación muy rápida
- Carga de puerta baja
- Montaje en superficie

INTEGRADO MOSFET FDS9945Hoja de datos FDS9945

TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 175°C
TIPO TRANSISTOR
MOSFET DUAL CANAL N
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
60V
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
±20V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
0.100 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
3.5A
CORRIENTE DRENAJE PULSO
10A
DISIPACIÓN DE POTENCIA
2W
ENCAPSULADO
SO-8
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