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IRF7309PbF SO8 dual mosfet P - N

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7309PbF F7309 Ch-N 30V 4A · Ch-P -30V -3A SO-8

INTERNATIONAL RECTIFIER
10980
Disponible
2,25 €
Impuestos incluidos * 1 a 5 días depende de la forma de envio elegida
Dos transistores MOSFET Ch-N y Ch-P en un solo componente formato SO-8. Canal N 30V 4A y Canal P -30V -3A Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

Este integrado está compuesto por dos transistores MOSFET, canal N y canal P, en un solo encapsulado SO-8. Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que son bien conocidos los MOSFET HEXFET Power, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

- DUAL MOSFET canal N y P
- Tecnología de V generación
- Resistencia ultra baja
- Totalmente clasificado para trabajar por avalancha
- Montaje en superficie

INTEGRADO MOSFET IRF7309PbFHoja de datos IRF7309PbF

TIPO TRANSISTOR
MOSFET DUAL CANAL N y CANAL P
TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
N-ch 30V | P-ch -30V
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
±20V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
N-ch 0.050 | P-ch 0.10 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
N-ch 4A | P-ch -3A
CORRIENTE DRENAJE PULSO
N-ch 16A | P-ch -12A
DISIPACIÓN DE POTENCIA
1.4W
ENCAPSULADO
SO-8
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