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IRF7319PbF SO8 dual mosfet P - N

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7319PbF Ch.N 30V/6.5A - Ch.P -30V/-4.9A SO-8

10925
Disponible
2,70 €
Impuestos incluidos * 1 a 5 días depende de la forma de envio elegida
Dos transistores MOSFET Ch-N y Ch-P en un solo componente formato SO-8. Canal N 30V 6.5A y Canal P -30V -4.9A Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que son bien conocidos los MOSFET HEXFET Power, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

- DUAL MOSFET canal N y P
- Tecnología de V generación
- Resistencia ultra baja
- Totalmente clasificado para trabajar por avalancha
- Montaje en superficie
TIPO TRANSISTOR
MOSFET DUAL CANAL N y CANAL P
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
N-ch 30V | P-ch -30V
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
±20V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
N-ch 0.029 | P-ch 0.058 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
N-ch 6.5A | P-ch -4.9A
CORRIENTE DRENAJE PULSO
N-ch 30A | P-ch -30A
DISIPACIÓN DE POTENCIA
2W
TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
ENCAPSULADO
SO-8
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
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