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INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7389 F7389 Ch-N 30V 4A · Ch-P -30V -3A SO-8
INTERNATIONAL RECTIFIER
11170
Disponible
2,65 €
Impuestos incluidos
*
1 a 5 días depende de la forma de envio elegida
Dos transistores MOSFET Ch-N y Ch-P en un solo componente formato SO-8. Canal N 30V 7.3A y Canal P -30V -5.3A Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.
Este integrado está compuesto por dos transistores MOSFET, canal N y canal P, en un solo encapsulado SO-8. Los HEXFET de quinta generación de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que son bien conocidos los MOSFET HEXFET Power, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- DUAL MOSFET canal N y P
- Tecnología de V generación
- Resistencia ultra baja
- Totalmente clasificado para trabajar por avalancha
- Montaje en superficie
- DUAL MOSFET canal N y P
- Tecnología de V generación
- Resistencia ultra baja
- Totalmente clasificado para trabajar por avalancha
- Montaje en superficie
Hoja de datos IRF7389- TEMPERATURA OPERATIVA
- -55°C ~ 150°C
- TIPO DE MONTAJE
- SUPERFICIAL SMD/SMT
- DISIPACIÓN DE POTENCIA
- 2.5W
- TIPO TRANSISTOR
- MOSFET DUAL CANAL N y CANAL P
- ENCAPSULADO
- SO-8
- TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
- N-ch 30V | P-ch -30V
- TENSIÓN PUERTA - FUENTE
- ±20V
- RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
- N-ch 0.029 | P-ch 0.058 Ohms
- CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
- N-ch 7.3A | P-ch -5.3A
- CORRIENTE DRENAJE PULSO
- N-ch 30A | P-ch -30A
Sin reseñas
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