INTEGRADO MOSFET DUAL QM3202M M3202M N-Channel 30V 28A QFN-8
UBIQDos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato QFN-8 30V 28A 0.018 Ω. Tecnología TRENCH de alto rendimiento y conmutación rápida. Para montaje en superficie.
Este integrado QM3202M o M3202M está compuesto por dos transistores MOSFET canal N en un solo encapsulado QFN-8. El QM3202M ofrece la tecnologia TRENCH de más alto rendimiento MOSFET por su extremadamente alta densidad celular que proporciona una excelente RDSON y carga de puerta para la mayor parte de aplicaciones de convertidores reductores síncronos. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño de dispositivo reforzado proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Estos dispositivos son adecuados para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería donde se requieren bajas pérdidas de energía en línea y conmutación rápida. Convertidor Buck para MB/NB/UMPC/VG. Sistema de alimentación de red DC-DC. Interruptor de carga. Síncrono de punto de carga de alta frecuencia,etc.
- MOSFET DUAL canal N
- Tecnología Trench de alta densidad celular
- Resistencia ultra baja
- Carga de puerta super baja
- Capacidad de manejo de alta potencia y corriente
- Montaje en superficie
- TEMPERATURA OPERATIVA
- -55°C ~ 150°C
- TIPO DE MONTAJE
- SUPERFICIAL SMD/SMT
- DISIPACIÓN DE POTENCIA
- 20W
- TIPO TRANSISTOR
- MOSFET DUAL CANAL N
- ENCAPSULADO
- QFN-8
- TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
- 30V
- TENSIÓN PUERTA - FUENTE
- ±20V
- RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
- 0.018 Ohms
- CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
- 28A
- CORRIENTE DRENAJE PULSO
- 55A