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QM3202M QFN-8 dual mosfet N

INTEGRADO MOSFET DUAL QM3202M M3202M N-Channel 30V 28A QFN-8

UBIQ
11178
Disponible
4,95 €
Impuestos incluidos * 1 a 5 días depende de la forma de envio elegida

Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato QFN-8 30V 28A 0.018 Ω. Tecnología TRENCH de alto rendimiento y conmutación rápida. Para montaje en superficie.

 

Este integrado QM3202M o M3202M está compuesto por dos transistores MOSFET canal N en un solo encapsulado QFN-8. El QM3202M ofrece la tecnologia TRENCH de más alto rendimiento MOSFET por su extremadamente alta densidad celular que proporciona una excelente RDSON y carga de puerta para la mayor parte de aplicaciones de convertidores reductores síncronos. Este beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y el diseño de dispositivo reforzado proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Estos dispositivos son adecuados para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería donde se requieren bajas pérdidas de energía en línea y conmutación rápida. Convertidor Buck para MB/NB/UMPC/VG. Sistema de alimentación de red DC-DC. Interruptor de carga. Síncrono de punto de carga de alta frecuencia,etc.

- MOSFET DUAL canal N
- Tecnología Trench de alta densidad celular
- Resistencia ultra baja
- Carga de puerta super baja
- Capacidad de manejo de alta potencia y corriente
- Montaje en superficie

INTEGRADO MOSFET QM3202MHoja de datos QM3202M

TIPO TRANSISTOR
MOSFET DUAL CANAL N
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
30V
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
±20V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
0.018 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
28A
CORRIENTE DRENAJE PULSO
55A
DISIPACIÓN DE POTENCIA
20W
TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
ENCAPSULADO
QFN-8
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
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