INTEGRADO MOSFET DUAL STS10DN3LH5 10DD3L Ch-N 30V 10A SO-8

Name: INTEGRADO MOSFET DUAL STS10DN3LH5 10DD3L Ch-N 30V 10A SO-8
Brand: ST
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Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato SO-8. 30V 10A 0.019 Ω. Tecnología StripFET™V. Para montaje en superficie.

Este integrado está compuesto por dos transistores MOSFET canal N en un solo encapsulado SO-8. Esta tecnología STripFET ™ V Power MOSFET se encuentra entre las últimas mejoras que se han diseñado especialmente para lograr una resistencia en estado muy baja, proporcionando también uno de los mejores FOM de su clase. Proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

- DUAL MOSFET canal N
- Carga de la puerta de conmutación muy baja
- Resistencia extremadamente baja RDS(on)
- Gran resistencia ante avalanchas
- Pérdidas de potencia reducidas en el accionamiento de la puerta
- Montaje en superficie

INTEGRADO MOSFET STS10DN3LH5 Hoja de datos STS10DN3LH5

TEMPERATURA OPERATIVA: -55°C ~ 150°C
TIPO DE MONTAJE: SUPERFICIAL SMD/SMT
DISIPACIÓN DE POTENCIA: 2.5W
TIPO TRANSISTOR: MOSFET DUAL CANAL N
ENCAPSULADO: SO-8
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE: 30V
TENSIÓN PUERTA - FUENTE: ±22V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE: 0.019 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA: 10A
CORRIENTE DRENAJE PULSO: 40A

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