STS10DN3LH5 SO8 dual mosfet N

INTEGRADO MOSFET DUAL STS10DN3LH5 10DD3L Ch-N 30V 10A SO-8

ST
10977
Disponible
2,35 €
Impuestos incluidos * 1 a 5 días depende de la forma de envio elegida
Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato SO-8. 30V 10A 0.019 Ω. Tecnología StripFET™V. Para montaje en superficie.

Este integrado está compuesto por dos transistores MOSFET canal N en un solo encapsulado SO-8. Esta tecnología STripFET ™ V Power MOSFET se encuentra entre las últimas mejoras que se han diseñado especialmente para lograr una resistencia en estado muy baja, proporcionando también uno de los mejores FOM de su clase. Proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

- DUAL MOSFET canal N
- Carga de la puerta de conmutación muy baja
- Resistencia extremadamente baja RDS(on)
- Gran resistencia ante avalanchas
- Pérdidas de potencia reducidas en el accionamiento de la puerta
- Montaje en superficie

INTEGRADO MOSFET STS10DN3LH5Hoja de datos STS10DN3LH5

TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
TIPO TRANSISTOR
MOSFET DUAL CANAL N
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
30V
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
±22V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
0.019 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
10A
CORRIENTE DRENAJE PULSO
40A
DISIPACIÓN DE POTENCIA
2.5W
ENCAPSULADO
SO-8
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