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TRANSISTOR SMD MOSFET FDV303N 303N 25V 680mA 350mW Canal N SOT-23
11052
Disponible
0,63 €
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Transistor SMD Mosfet FDV303N Digital FET. Este dispositivo puede usarse en el circuito de carga de baterías litio o NMH y aplicaciones PWM.
El transistor FDV303N combina la tecnología MOSFET con un proceso de muy alta densidad para minimizar la resistencia en estado activado en condiciones de accionamiento de puerta. Estos productos han sido diseñados para minimizar la resistencia en estado encendido mientras brindan un desempeño de conmutación rápido, confiable y resistente. Tiene una excelente resistencia para el accionamiento de la puerta incluso en voltajes tan bajos como 2.5 V. Sus aplicaciones mas comunes son en circuitos de batería utilizando una celda de litio o tres de cadmio o NMH. Se puede utilizar como inversor o para conversión CC / CC discreta en miniatura de alta eficiencia en dispositivos electrónicos portátiles compactos como teléfonos móviles, buscapersonas, etc.
Hoja de datos FDV303N- TEMPERATURA OPERATIVA
- -55°C ~ 150°C
- TIPO DE MONTAJE
- SUPERFICIAL SMD/SMT
- DISIPACIÓN DE POTENCIA
- 350mW
- TIPO TRANSISTOR
- MOSFET CANAL N
- ENCAPSULADO
- SOT-23
- TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
- 25V
- TENSIÓN PUERTA - FUENTE
- 8V
- RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
- 0.45 Ohms
- CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
- 680mA
- CORRIENTE DRENAJE PULSO
- 2A
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