FDV303N 303N SOT23 Transistor SMD mosfet

TRANSISTOR SMD MOSFET FDV303N 303N 25V 680mA 350mW Canal N SOT-23

11052
Disponible
0,63 €
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Transistor SMD Mosfet FDV303N Digital FET. Este dispositivo puede usarse en el circuito de carga de baterías litio o NMH y aplicaciones PWM.

Precio por UNIDAD. La cantidad mínima de compra para este producto es 5 unidades.

 
El transistor FDV303N combina la tecnología MOSFET con un proceso de muy alta densidad para minimizar la resistencia en estado activado en condiciones de accionamiento de puerta. Estos productos han sido diseñados para minimizar la resistencia en estado encendido mientras brindan un desempeño de conmutación rápido, confiable y resistente. Tiene una excelente resistencia para el accionamiento de la puerta incluso en voltajes tan bajos como 2.5 V. Sus aplicaciones mas comunes son en circuitos de batería utilizando una celda de litio o tres de cadmio o NMH. Se puede utilizar como inversor o para conversión CC / CC discreta en miniatura de alta eficiencia en dispositivos electrónicos portátiles compactos como teléfonos móviles, buscapersonas, etc.

TRANSISTOR SMD MOSFET FDV303N 303NHoja de datos FDV303N

TIPO TRANSISTOR
MOSFET CANAL N
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
25V
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
8V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
0.45 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
680mA
CORRIENTE DRENAJE PULSO
2A
DISIPACIÓN DE POTENCIA
350mW
TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
ENCAPSULADO
SOT-23
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
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