Tu cesta
No hay más artículos en tu cesta
TRANSISTOR SMD MOSFET 2SK2009 KM 30V 200mA 200mW Canal N SOT-23
TOSHIBA
11123
Disponible
0,68 €
Impuestos incluidos
*
1 a 5 días depende de la forma de envio elegida
Transistor SMD Mosfet 2SK2009 KM. Aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Aplicaciones de interruptores analógicos.
El 2SK2009 KM es un transistor de efecto de campo MOS. El 2SK2009 de Toshiba es un MOSFET de tipo vertical de canal N.
Apto para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y aplicaciones de interruptores analógicos. No es necesario considerar la corriente de conducción debido a su alta impedancia de entrada.
Tensión de umbral de compuerta baja: Vth = 0.5 a 1.5 V.
Excelentes tiempos de conmutación: t on = 0.06 μs (típ.) t off = 0.12 μs (típ.).
Resistencia de encendido de fuente de drenaje baja: RDS (encendido) = 1.2 Ω (típ.) .
Apto para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y aplicaciones de interruptores analógicos. No es necesario considerar la corriente de conducción debido a su alta impedancia de entrada.
Tensión de umbral de compuerta baja: Vth = 0.5 a 1.5 V.
Excelentes tiempos de conmutación: t on = 0.06 μs (típ.) t off = 0.12 μs (típ.).
Resistencia de encendido de fuente de drenaje baja: RDS (encendido) = 1.2 Ω (típ.) .
Hoja de datos 2SK2009 KM- TIPO TRANSISTOR
- MOSFET CANAL N
- TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
- 30V
- TENSIÓN PUERTA - FUENTE
- ±20V
- RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
- 1.2 Ohms
- DISIPACIÓN DE POTENCIA
- 200mW
- CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
- 200mA
- TEMPERATURA OPERATIVA
- -55°C ~ 150°C
- CORRIENTE DRENAJE PULSO
- 200mA
- ENCAPSULADO
- SOT-23
- TIPO DE MONTAJE
- SUPERFICIAL SMD/SMT
Sin reseñas
Toca para hacer zoom
