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TRANSISTOR SMD MOSFET 2SK2009 KM 30V 200mA 200mW Canal N SOT-23
TOSHIBA
11123
Disponible
0,68 €
Impuestos incluidos
*
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Transistor SMD Mosfet 2SK2009 KM. Aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Aplicaciones de interruptores analógicos.
El 2SK2009 KM es un transistor de efecto de campo MOS. El 2SK2009 de Toshiba es un MOSFET de tipo vertical de canal N.
Apto para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y aplicaciones de interruptores analógicos. No es necesario considerar la corriente de conducción debido a su alta impedancia de entrada.
Tensión de umbral de compuerta baja: Vth = 0.5 a 1.5 V.
Excelentes tiempos de conmutación: t on = 0.06 μs (típ.) t off = 0.12 μs (típ.).
Resistencia de encendido de fuente de drenaje baja: RDS (encendido) = 1.2 Ω (típ.) .
Apto para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y aplicaciones de interruptores analógicos. No es necesario considerar la corriente de conducción debido a su alta impedancia de entrada.
Tensión de umbral de compuerta baja: Vth = 0.5 a 1.5 V.
Excelentes tiempos de conmutación: t on = 0.06 μs (típ.) t off = 0.12 μs (típ.).
Resistencia de encendido de fuente de drenaje baja: RDS (encendido) = 1.2 Ω (típ.) .
Hoja de datos 2SK2009 KM- TIPO TRANSISTOR
- MOSFET CANAL N
- TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
- 30V
- TENSIÓN PUERTA - FUENTE
- ±20V
- RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
- 1.2 Ohms
- CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
- 200mA
- CORRIENTE DRENAJE PULSO
- 200mA
- DISIPACIÓN DE POTENCIA
- 200mW
- TEMPERATURA OPERATIVA
- -55°C ~ 150°C
- ENCAPSULADO
- SOT-23
- TIPO DE MONTAJE
- SUPERFICIAL SMD/SMT
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