KM 2SK2009 SOT23 Transistor SMD mosfet

TRANSISTOR SMD MOSFET 2SK2009 KM 30V 200mA 200mW Canal N SOT-23

TOSHIBA
11123
Disponible
0,68 €
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Transistor SMD Mosfet 2SK2009 KM. Aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Aplicaciones de interruptores analógicos.

Precio por UNIDAD. La cantidad mínima de compra para este producto es 5 unidades.

 
El 2SK2009 KM es un transistor de efecto de campo MOS. El 2SK2009 de Toshiba es un MOSFET de tipo vertical de canal N.
Apto para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y aplicaciones de interruptores analógicos. No es necesario considerar la corriente de conducción debido a su alta impedancia de entrada.
Tensión de umbral de compuerta baja: Vth = 0.5 a 1.5 V.
Excelentes tiempos de conmutación: t on = 0.06 μs (típ.) t off = 0.12 μs (típ.).
Resistencia de encendido de fuente de drenaje baja: RDS (encendido) = 1.2 Ω (típ.) .

TRANSISTOR SMD MOSFET 2SK2009 KMHoja de datos 2SK2009 KM

TIPO TRANSISTOR
MOSFET CANAL N
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
30V
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
±20V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
1.2 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
200mA
CORRIENTE DRENAJE PULSO
200mA
DISIPACIÓN DE POTENCIA
200mW
TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
ENCAPSULADO
SOT-23
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
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