G1 MMBT5551 SOT23 Transistor SMD

TRANSISTOR SMD MMBT5551 G1 NPN 160V 600mA 300mW SOT-23

10394
Disponible
0,36 €
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Transistor bipolar SMD NPN para aplicaciones generales, conmutación de baja potencia y amplificación.

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Transistor MMBT5551 G1 bipolar epitaxial de silicio. Transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.

TRANSISTOR SMD NPN MMBT5551 G1Hoja de datos MMBT5551

TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
DISIPACIÓN DE POTENCIA
300mW
TIPO TRANSISTOR
NPN
ENCAPSULADO
SOT-23
VOLTAJE COLECTOR-EMISOR
160V
VOLTAJE COLECTOR-BASE
180V
VOLTAJE EMISOR-BASE
6V
CORRIENTE COLECTOR
600mA
GANANCIA CORRIENTE DC hFE Máx.
300
FRECUENCIA DE TRANSICIÓN fT
300MHz
Sin reseñas

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