G1 MMBT5551 SOT23 Transistor SMD

TRANSISTOR SMD MMBT5551 G1 NPN 160V 600mA 300mW SOT-23

10394
Disponible
0,36 €
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Transistor bipolar SMD NPN para aplicaciones generales, conmutación de baja potencia y amplificación.

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Transistor MMBT5551 G1 bipolar epitaxial de silicio. Transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.

TRANSISTOR SMD NPN MMBT5551 G1Hoja de datos MMBT5551

TIPO TRANSISTOR
NPN
DISIPACIÓN DE POTENCIA
300mW
TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
ENCAPSULADO
SOT-23
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
VOLTAJE COLECTOR-EMISOR
160V
VOLTAJE COLECTOR-BASE
180V
VOLTAJE EMISOR-BASE
6V
CORRIENTE COLECTOR
600mA
GANANCIA CORRIENTE DC hFE Máx.
300
FRECUENCIA DE TRANSICIÓN fT
300MHz
Sin reseñas

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