TRANSISTORES

Mostrando 1 -24 de 86 artículo (s)

A79T AO3407A SOT23 Transistor SMD mosfet

Nuevo

Disponible

TRANSISTOR SMD

TRANSISTOR SMD MOSFET AO3407 A79T -30V -4,3A 1.4W Canal P SOT-23

Transistor SMD Mosfet. El AO3407A utiliza “Advanced Trench Technology” para proporcionar un excelente RDS (ON) y una carga de puerta baja. Este dispositivo puede usarse como interruptor de carga o en aplicaciones PWM.

Nuevo

Disponible

TRANSISTOR SMD

TRANSISTOR SMD MOSFET BSS123 SA 100V 170mA 360mW Canal N SOT-23

11200

0,38 €

Transistor SMD Mosfet BSS123 de nivel lógico. Este dispositivo puede usarse como interruptor de carga o en aplicaciones PWM.

Nuevo

Disponible

DARLINGTON

TRANSISTOR POTENCIA DARLIGNTON FW26025A1 PNP -100V -20A 160W TO-3

11198

5,45 €

Transistor de potencia FW26025A1 darlignton PNP con encapsulado metálico TO-3

Nuevo

Disponible

MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL QM3202M M3202M N-Channel 30V 28A QFN-8

11178

4,95 €

Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato QFN-8 30V 28A 0.018 Ω. Tecnología TRENCH de alto rendimiento y conmutación rápida. Para montaje en superficie.

Nuevo

Disponible

MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7343 F7343 Ch-N 55V 4.7A · Ch-P -55V -3.4A SO-8

11171

3,25 €

Dos transistores MOSFET Ch-N y Ch-P en un solo componente formato SO-8. Canal N 55V 4.7A y Canal P -5V -3.4A Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

Nuevo

Disponible

MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7389 F7389 Ch-N 30V 4A · Ch-P -30V -3A SO-8

11170

2,65 €

Dos transistores MOSFET Ch-N y Ch-P en un solo componente formato SO-8. Canal N 30V 7.3A y Canal P -30V -5.3A Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

Nuevo

Disponible

MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7341 F7341 Ch-N 55V 4.7A SO-8

11169

3,15 €

Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato SO-8. 55V 4.7A 0.050 Ω. Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

Nuevo

Disponible

MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7306 F7306 Ch-P -30V -3.6A SO-8

11168

2,45 €

Dos transistores MOSFET canal P en un solo componente formato SO-8. -30V -3.6A 0.10 Ω. Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

Nuevo

Disponible

MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7307 F7307 Ch-N 20V 5.2A · Ch-P -20V -4.3A SO-8

11167

2,60 €

Dos transistores MOSFET Ch-N y Ch-P en un solo componente formato SO-8. Canal N 20V 5.2A y Canal P -20V -4.3A Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

Nuevo

Disponible

MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7313 F7313 Ch-N 30V 6.5A SO-8

11166

2,45 €

Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato SO-8. 30V 6.5A 0.029 Ω. Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

Nuevo

Disponible

MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7314 F7314 Ch-P -20V -5.3A SO-8

11165

2,45 €

Dos transistores MOSFET canal P en un solo componente formato SO-8. -20V -5.3A 0.058 Ω. Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

ZH RSR020P05 SOT23 Transistor SMD mosfet

Nuevo

Disponible

TRANSISTOR SMD

TRANSISTOR SMD MOSFET RSR020P05 ZH -45V -2A 1W Canal P SOT-346T SOT-23

11179

1,35 €

Transistor SMD Mosfet con diodo de protección G-S integrado. Este transistor RSR020P05 ZH es adecuado para su uso como convertidor DC / DC para dispositivos portátiles, interruptor de carga o para aplicaciones PWM. Montaje en superficie SOT-346T SOT-23.

Nuevo

Disponible

MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL FDS6930A Ch-N 30V 5.5A SO-8

11157

2,25 €

Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato SO-8. 30V 5.5A 0.038 Ω. Tecnología POWER TRENCH. Para montaje en superficie.

Disponible

MOSFET

INTEGRADO MOSFET AO4407 4407 Ch-P -30V -12A SO-8

11155

2,65 €

Transistor MOSFET canal P en formato SO-8. -30V -12A 0.013 Ω. Tecnología MOSFET advanced TRENCH. Para montaje en superficie.

Disponible

MOSFET

INTEGRADO MOSFET CJQ4407 Q4407 Ch-P -30V -12A SO-8

11153

3,90 €

Transistor MOSFET canal P en formato SO-8. -30V -12A 0.013 Ω. Tecnología advanced TRENCH. Para montaje en superficie.

Disponible

TRANSISTOR SMD

TRANSISTOR SMD MOSFET 2SK2009 KM 30V 200mA 200mW Canal N SOT-23

11123

0,68 €

Transistor SMD Mosfet 2SK2009 KM. Aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Aplicaciones de interruptores analógicos.

TOSHIBA TLP3115 optoacoplador fotorele 40V

Disponible

OPTOACOPLADOR

OPTOACOPLADOR SMD TLP3115 TOSHIBA FOTO-RELÉ SALIDA MOSFET SOP-4

11053

4,65 €

Optoacoplador SMD TLP3115 con salida MOSFET de TOSHIBA. Es un fotorelé de estado sólido de contorno pequeño, plano y de mínimo tamaño adecuado para montaje en superficie. El TLP3115 consta de un infrarrojo-diodo emisor acoplado ópticamente a un foto-MOSFET y alojado en encapsulado de 4 pines SOP4.

Disponible

TRANSISTOR SMD

TRANSISTOR SMD MOSFET FDV303N 303N 25V 680mA 350mW Canal N SOT-23

11052

0,63 €

Transistor SMD Mosfet FDV303N Digital FET. Este dispositivo puede usarse en el circuito de carga de baterías litio o NMH y aplicaciones PWM.

Disponible

TRANSISTOR SMD

TRANSISTOR SMD 2SC3052 LF NPN 50V 200mA 150mW SOT-23

11119

0,38 €

Transistor bipolar SMD NPN para aplicaciones generales, conmutación de baja potencia y amplificación. Voltaje de saturación de colector a emisor bajo. Excelente linealidad de ganancia de corriente directa. Cumple con la clasificación de inflamabilidad UL 94 V-0

Disponible

TRANSISTOR SMD

TRANSISTOR SMD MOSFET SI2307 A7sHB -30V -3A 1.25W Canal P SOT-23

11066

0,38 €

Transistor SMD Mosfet. El SI2307 A7sHB utiliza “TrenchFET® power MOSFET”. Este dispositivo es adecuado para su uso como convertidor CC / CC para dispositivos portátiles, interruptor de carga o para aplicaciones PWM.

Disponible

TRANSISTOR SMD

TRANSISTOR SMD MOSFET SI2306 A6sHB 30V 3.5A 1.25W Canal N SOT-23

11064

0,38 €

Transistor SMD Mosfet. El SI2306 A6sHB utiliza “TrenchFET® power MOSFET”. Este dispositivo es adecuado para su uso como convertidor CC / CC para dispositivos portátiles, interruptor de carga o para aplicaciones PWM.

Disponible

TRANSISTOR SMD

TRANSISTOR SMD MOSFET SI2305 A5sHB -8V -3.5A 1.25W Canal P SOT-23

11065

0,38 €

Transistor SMD Mosfet. El SI2305 A5sHB utiliza “TrenchFET® power MOSFET”. Este dispositivo es adecuado para su uso como convertidor CC / CC para dispositivos portátiles, interruptor de carga o para aplicaciones PWM.

ULN2803A DIP18 Integrado array Darlington

Disponible

ARRAY TRANSISTORES

INTEGRADO ULN2803A ARRAY TRANSISTOR DARLINGTON NPN 50V 500mA DIP-18

11023

1,05 €

Integrado array con 8 transistores NPN Darlington con emisores comunes y diodos de supresión integrales para cargas inductivas. Adecuado para aplicaciones de control de motores, bobinas, lámparas, leds, etc. Entradas compatibles con TTL y CMOS.

Disponible

MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7303PbF F7303 Ch-N 30V 4.9A SO-8

11022

2,35 €

Dos transistores MOSFET Ch-N y en un solo componente formato SO-8. Canal N 30V 4.9A 0.050 Ω. Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

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