IRF540N TO220 Transistor power mosfet

TRANSISTOR MOSFET IRF540N Canal N 100V 33A 130W TO-220AB

10132
Disponible
2,20 €
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Transistor MOSFET de potencia Canal N. Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.

 

El MOSFET IRF540N de potencia de tercera generación, proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo resistente, por el que los MOSFET de potencia son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Esta tecnología avanzada se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en el modo de conmutación y de avalancha. Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia, corrección del factor de potencia y balastos de lámparas electrónicos basados en medio puente.

TRANSISTOR MOSFET IRF540NHoja de datos IRF540N

TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 175°C
TIPO DE MONTAJE
ORIFICIO PASANTE THT
DISIPACIÓN DE POTENCIA
130W
TIPO TRANSISTOR
MOSFET CANAL N
ENCAPSULADO
TO-220AB
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
100V
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
±20V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
0.044 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
33A
CORRIENTE DRENAJE PULSO
110A
TIEMPO RETRASO DE APAGADO
39ns
TIEMPO RETRASO DE ENCENDIDO
11ns
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