MOSFET

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IRF7306 SO8 dual mosfet P

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MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7306 F7306 Ch-P -30V -3.6A SO-8

Dos transistores MOSFET canal P en un solo componente formato SO-8. -30V -3.6A 0.10 Ω. Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

IRF7303PbF SO8 dual mosfet N

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MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7303PbF F7303 Ch-N 30V 4.9A SO-8

Dos transistores MOSFET Ch-N y en un solo componente formato SO-8. Canal N 30V 4.9A 0.050 Ω. Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

A2SHB SI2302DS SOT23 Transistor SMD mosfet

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TRANSISTOR SMD

TRANSISTOR SMD MOSFET SI2302 A2sHB 20V 2.8A 1.25W Canal N SOT-23

Transistor SMD Mosfet. El SI2302 A2sHB utiliza “TrenchFET® power MOSFET”. Este dispositivo es adecuado para su uso como convertidor CC / CC para dispositivos portátiles, interruptor de carga o para aplicaciones PWM.

IRF7309PbF SO8 dual mosfet P - N

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MOSFET

INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7309PbF F7309 Ch-N 30V 4A · Ch-P -30V -3A SO-8

Dos transistores MOSFET Ch-N y Ch-P en un solo componente formato SO-8. Canal N 30V 4A y Canal P -30V -3A Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie.

IRF830A TO220AB Transistor power mosfet

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MOSFET

TRANSISTOR MOSFET IRF830 Canal N 500V 4.5A 75W TO-220AB

Transistor MOSFET de potencia Canal N. Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.

A09T AO3400 SOT23 Transistor SMD mosfet

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TRANSISTOR SMD

TRANSISTOR SMD MOSFET AO3400 A09T 30V 5.8A 1.4W Canal N SOT-23

Transistor SMD Mosfet. El AO3400 combina la avanzada tecnología “trench” MOSFET con un paquete de baja resistencia para proporcionar un RDS (ON) extremadamente bajo. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones PWM

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