Disponible TRANSISTOR SMD TRANSISTOR SMD MOSFET AO3407 A79T -30V -4,3A 1.4W Canal P SOT-23 11201 0,46 € Transistor SMD Mosfet. El AO3407A utiliza “Advanced Trench Technology” para proporcionar un excelente RDS (ON) y una carga de puerta baja. Este dispositivo puede usarse como interruptor de carga o en aplicaciones PWM. Añadir a la cesta
Disponible TRANSISTOR SMD TRANSISTOR SMD MOSFET BSS123 SA 100V 170mA 360mW Canal N SOT-23 11200 0,38 € Transistor SMD Mosfet BSS123 de nivel lógico. Este dispositivo puede usarse como interruptor de carga o en aplicaciones PWM. Añadir a la cesta
Disponible MOSFET INTEGRADO MOSFET DUAL QM3202M M3202M N-Channel 30V 28A QFN-8 11178 4,95 € Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato QFN-8 30V 28A 0.018 Ω. Tecnología TRENCH de alto rendimiento y conmutación rápida. Para montaje en superficie. Añadir a la cesta
Disponible MOSFET INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7343 F7343 Ch-N 55V 4.7A · Ch-P -55V -3.4A SO-8 11171 3,25 € Dos transistores MOSFET Ch-N y Ch-P en un solo componente formato SO-8. Canal N 55V 4.7A y Canal P -5V -3.4A Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie. Añadir a la cesta
Disponible MOSFET INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7389 F7389 Ch-N 30V 4A · Ch-P -30V -3A SO-8 11170 2,65 € Dos transistores MOSFET Ch-N y Ch-P en un solo componente formato SO-8. Canal N 30V 7.3A y Canal P -30V -5.3A Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie. Añadir a la cesta
Disponible MOSFET INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7341 F7341 Ch-N 55V 4.7A SO-8 11169 3,15 € Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato SO-8. 55V 4.7A 0.050 Ω. Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie. Añadir a la cesta
Disponible MOSFET INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7306 F7306 Ch-P -30V -3.6A SO-8 11168 2,45 € Dos transistores MOSFET canal P en un solo componente formato SO-8. -30V -3.6A 0.10 Ω. Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie. Añadir a la cesta
Disponible MOSFET INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7307 F7307 Ch-N 20V 5.2A · Ch-P -20V -4.3A SO-8 11167 2,60 € Dos transistores MOSFET Ch-N y Ch-P en un solo componente formato SO-8. Canal N 20V 5.2A y Canal P -20V -4.3A Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie. Añadir a la cesta
Disponible MOSFET INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7313 F7313 Ch-N 30V 6.5A SO-8 11166 2,45 € Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato SO-8. 30V 6.5A 0.029 Ω. Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie. Añadir a la cesta
Disponible MOSFET INTEGRADO MOSFET DUAL IRF7314 F7314 Ch-P -20V -5.3A SO-8 11165 2,45 € Dos transistores MOSFET canal P en un solo componente formato SO-8. -20V -5.3A 0.058 Ω. Tecnología HEXFET. Para montaje en superficie. Añadir a la cesta
Disponible TRANSISTOR SMD TRANSISTOR SMD MOSFET RSR020P05 ZH -45V -2A 1W Canal P SOT-346T SOT-23 11179 1,35 € Transistor SMD Mosfet con diodo de protección G-S integrado. Este transistor RSR020P05 ZH es adecuado para su uso como convertidor DC / DC para dispositivos portátiles, interruptor de carga o para aplicaciones PWM. Montaje en superficie SOT-346T SOT-23. Añadir a la cesta
Disponible MOSFET INTEGRADO MOSFET DUAL FDS6930A Ch-N 30V 5.5A SO-8 11157 2,25 € Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato SO-8. 30V 5.5A 0.038 Ω. Tecnología POWER TRENCH. Para montaje en superficie. Añadir a la cesta