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CJQ4407 SO8 mosfet P

INTEGRADO MOSFET CJQ4407 Q4407 Ch-P -30V -12A SO-8

JCET
11153
Disponible
3,90 €
Impuestos incluidos * 1 a 5 días depende de la forma de envio elegida
Transistor MOSFET canal P en formato SO-8. -30V -12A 0.013 Ω. Tecnología advanced TRENCH. Para montaje en superficie.

 
Este MOSFET de canal P CJQ4407 combina tecnología TRENCH MOSFET avanzada con un paquete de baja resistencia para proporcionar un RDS(ON) extremadamente bajo. Se ha optimizado para aplicaciones de administración de energía. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones PW, protección de batería, gestión de energía.

- MOSFET canal P
- Tecnología Trench
- Resistencia ultra baja
- Capacidad de manejo de alta potencia y corriente
- Montaje en superficie

INTEGRADO MOSFET CJQ4407Hoja de datos CJQ4407

TIPO TRANSISTOR
MOSFET CANAL P
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
-30V
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
±20V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
0.013 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
-12A
CORRIENTE DRENAJE PULSO
-48A
DISIPACIÓN DE POTENCIA
1.4W
TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
ENCAPSULADO
SO-8
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
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