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FDS6930B SO8 dual mosfet N

INTEGRADO MOSFET DUAL FDS6930B Ch-N 30V 5.5A SO-8

FAIRCHILD
10535
Disponible
2,90 €
Impuestos incluidos * 1 a 5 días depende de la forma de envio elegida
Dos transistores MOSFET canal N en un solo componente formato SO-8. 30V 5.5A 0.038 Ω. Tecnología POWER TRENCH. Para montaje en superficie.

Este integrado está compuesto por dos transistores MOSFET canal N en un solo encapsulado SO-8. Estos MOSFET de nivel lógico de canal N se producen utilizando el proceso avanzado PowerTrench de Fairchild Semiconductor que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activado y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Estos dispositivos son adecuados para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería donde se requieren bajas pérdidas de energía en línea y conmutación rápida. .

- MOSFET DUAL canal N
- Tecnología PowerTrench
- Resistencia ultra baja
- Capacidad de manejo de alta potencia y corriente
- Montaje en superficie

INTEGRADO MOSFET FDS6930BHoja de datos FDS6930B

TIPO TRANSISTOR
MOSFET DUAL CANAL N
TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
30V
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
±20V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
0.038 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
5.5A
CORRIENTE DRENAJE PULSO
20A
DISIPACIÓN DE POTENCIA
2W
ENCAPSULADO
SO-8
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