INTEGRADO MOSFET DUAL FDS6930B Ch-N 30V 5.5A SO-8

Este integrado está compuesto por dos transistores MOSFET canal N en un solo encapsulado SO-8. Estos MOSFET de nivel lógico de canal N se producen utilizando el proceso avanzado PowerTrench de Fairchild Semiconductor que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activado y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Estos dispositivos son adecuados para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería donde se requieren bajas pérdidas de energía en línea y conmutación rápida. .

- MOSFET DUAL canal N
- Tecnología PowerTrench
- Resistencia ultra baja
- Capacidad de manejo de alta potencia y corriente
- Montaje en superficie

Hoja de datos FDS6930B