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INTEGRADO MOSFET TC4953 Ch-P -20V -3A SO-8
10983
Disponible
2,90 €
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Transistor MOSFET canal P en formato SO-8. -20V -3A 0.062 Ω. Tecnología TRENCH. Para montaje en superficie.
El TC4953 canal P se basa en “Advanced trench process technology” para proporcionar un excelente RDS (ON) con carga de puerta baja. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones PW.
- MOSFET canal P
- Tecnología Trench
- Resistencia ultra baja
- Montaje en superficie
- MOSFET canal P
- Tecnología Trench
- Resistencia ultra baja
- Montaje en superficie
Hoja de datos TC4953- TEMPERATURA OPERATIVA
- -55°C ~ 150°C
- TIPO DE MONTAJE
- SUPERFICIAL SMD/SMT
- DISIPACIÓN DE POTENCIA
- 1.6W
- TIPO TRANSISTOR
- MOSFET CANAL P
- ENCAPSULADO
- SO-8
- TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
- -20V
- TENSIÓN PUERTA - FUENTE
- ±12V
- RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
- 0.062 Ohms
- CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
- -3A
- CORRIENTE DRENAJE PULSO
- -18A
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