TC4953 SO8 mosfet P

INTEGRADO MOSFET TC4953 Ch-P -20V -3A SO-8

10983
Disponible
2,90 €
Impuestos incluidos * 1 a 5 días depende de la forma de envio elegida
Transistor MOSFET canal P en formato SO-8. -20V -3A 0.062 Ω. Tecnología TRENCH. Para montaje en superficie.

El TC4953 canal P se basa en “Advanced trench process technology” para proporcionar un excelente RDS (ON) con carga de puerta baja. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones PW.

- MOSFET canal P
- Tecnología Trench
- Resistencia ultra baja
- Montaje en superficie

INTEGRADO MOSFET TC4953Hoja de datos TC4953

TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
TIPO TRANSISTOR
MOSFET CANAL P
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
-20V
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
±12V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
0.062 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
-3A
CORRIENTE DRENAJE PULSO
-18A
DISIPACIÓN DE POTENCIA
1.6W
ENCAPSULADO
SO-8
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