INTEGRADO MOSFET DUAL AO4803A 4803A Ch-P -30V -5A SO-8
ALPHA & OMEGAIntegrado AO4803A 4803. Dos transistores MOSFET canal P en un solo componente formato SO-8. -30V -5A 0.046 Ω. Tecnología TRENCH. Para montaje en superficie.
Este integrado está compuesto por dos transistores MOSFET canal P en un solo encapsulado SO-8. El AO4803A usa “advanced trench technology” para proporcionar un excelente RDS (ON) con carga de puerta baja. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que son bien conocidos los MOSFET Power, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones PW.
- DUAL MOSFET canal P
- Tecnología Trench
- Resistencia ultra baja
- Montaje en superficie
- TEMPERATURA OPERATIVA
- -55°C ~ 150°C
- TIPO DE MONTAJE
- SUPERFICIAL SMD/SMT
- TIPO TRANSISTOR
- MOSFET DUAL CANAL P
- ENCAPSULADO
- SO-8
- TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
- -30V
- TENSIÓN PUERTA - FUENTE
- ±20V
- RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
- 0.046 Ohms
- CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
- -5A
- CORRIENTE DRENAJE PULSO
- -30A
- DISIPACIÓN DE POTENCIA
- 2W