IRF7316PbF SO8 dual mosfet P

INTEGRADO MOSFET DUAL AO4803A 4803A Ch-P -30V -5A SO-8

ALPHA & OMEGA
10995
Disponible
2,70 €
Impuestos incluidos * 1 a 5 días depende de la forma de envio elegida
Dos transistores MOSFET canal P en un solo componente formato SO-8. -30V -5A 0.046 Ω. Tecnología TRENCH. Para montaje en superficie.

Este integrado está compuesto por dos transistores MOSFET canal P en un solo encapsulado SO-8. El AO4803A usa “advanced trench technology” para proporcionar un excelente RDS (ON) con carga de puerta baja. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que son bien conocidos los MOSFET Power, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones PW.

- DUAL MOSFET canal P
- Tecnología Trench
- Resistencia ultra baja
- Montaje en superficie

INTEGRADO MOSFET AO4803AHoja de datos AO4803A

TEMPERATURA OPERATIVA
-55°C ~ 150°C
TIPO TRANSISTOR
MOSFET DUAL CANAL P
TIPO DE MONTAJE
SUPERFICIAL SMD/SMT
TENSIÓN DRENAJE - FUENTE
-30V
TENSIÓN PUERTA - FUENTE
±20V
RESISTENCIA DRENAJE - FUENTE
0.046 Ohms
CORRIENTE DRENAJE CONTINUA
-5A
CORRIENTE DRENAJE PULSO
-30A
DISIPACIÓN DE POTENCIA
2W
ENCAPSULADO
SO-8
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